Molecular beam epitaxy, eller MBE, er en ny teknikk for å dyrke høykvalitets tynne filmer av krystaller på krystallsubstrater. Under ultrahøyvakuumforhold, ved oppvarmingsovnen er utstyrt med alle slags nødvendige komponenter og genererer damp, gjennom hull dannet etter kollimerende stråle atom- eller molekylstråle, direkte injeksjon til riktig temperatur på enkeltkrystallsubstratet, kontrollerende molekylstråle til substratet skanner samtidig, kan det få molekylene eller atomene i krystalljusteringslag til å danne en tynn film på et substrat "vekst".

For normal drift av MBE-utstyr kreves høy renhet, lavt trykk og ultrarent flytende nitrogen kontinuerlig og stabilt transportert til utstyrets kjølekammer. Generelt har en tank som gir flytende nitrogen et utgangstrykk mellom 0,3 MPa og 0,8 MPa. Flytende nitrogen ved -196 ℃ fordampes lett til nitrogen under rørledningstransport. Når det flytende nitrogenet med et gass-væske-forhold på ca. 1:700 er forgasset i rørledningen, vil det oppta en stor mengde flytende nitrogenstrømningsrom og redusere den normale strømningen ved enden av den flytende nitrogenrørledningen. I tillegg, i lagringstanken for flytende nitrogen, vil det sannsynligvis være rusk som ikke er renset. I rørledningen for flytende nitrogen vil eksistensen av våt luft også føre til dannelse av isslagg. Hvis disse urenhetene slippes ut i utstyret, vil det føre til uforutsigbar skade på utstyret.

Derfor transporteres det flytende nitrogenet i den utendørs lagertanken til MBE-utstyret i det støvfrie verkstedet med høy effektivitet, stabilitet og rent, og lavtrykket, ingen nitrogen, ingen urenheter, 24 timer uavbrutt, slikt transportkontrollsystem er et kvalifisert produkt.