Molekylstråleepitaksi, eller MBE, er en ny teknikk for å dyrke tynne krystallfilmer av høy kvalitet på krystallsubstrater. Under ultrahøye vakuumforhold genereres damp ved hjelp av alle nødvendige komponenter ved hjelp av varmeovner. Etter kollimering av atomstråler eller molekylstråler injiseres dampen direkte til passende temperatur på enkeltkrystallsubstratet. Samtidig kontrolleres skanningen av molekylstrålen på substratet for å få molekylene eller atomene i krystalljusteringslagene til å danne en tynn film på substratet.

For normal drift av MBE-utstyr kreves det at flytende nitrogen med høy renhet, lavt trykk og ultrarent transporteres kontinuerlig og stabilt til kjølekammeret i utstyret. Generelt har en tank som leverer flytende nitrogen et utgangstrykk mellom 0,3 MPa og 0,8 MPa. Flytende nitrogen ved -196 ℃ fordampes lett til nitrogen under rørledningstransport. Når det flytende nitrogenet med et gass-væske-forhold på omtrent 1:700 er forgasset i rørledningen, vil det oppta en stor mengde flytende nitrogenstrømningsplass og redusere den normale strømmen på enden av rørledningen for flytende nitrogen. I tillegg er det sannsynlig at det i lagringstanken for flytende nitrogen er rusk som ikke er renset. I rørledningen for flytende nitrogen vil tilstedeværelsen av våt luft også føre til generering av isslagg. Hvis disse urenhetene slippes ut i utstyret, vil det forårsake uforutsigbar skade på utstyret.

Derfor transporteres det flytende nitrogenet i den utendørs lagringstanken til MBE-utstyret i det støvfrie verkstedet med høy effektivitet, stabilitet og renhet, og med lavt trykk, uten nitrogen, ingen urenheter, 24 timer i døgnet uavbrutt, er et slikt transportkontrollsystem et kvalifisert produkt.